赤崎勇

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赤崎勇 あかさき いさむ
图片来源：赤崎勇（あかさき いさむ）
出生	(1929-01-30) 1929年1月30日（94岁） 大日本帝国鹿儿岛县川边郡知览村（现南九州市）
国籍	日本
母校	京都大学 名古屋大学
机构	松下电器 名城大学 名古屋大学
知名于	开发氮化镓结晶化技术，完成世界第一个高亮度的蓝色发光二极管
研究领域	物理学、工程学
奖项	诺贝尔物理学奖（2014）

[url=https://pediainside.com/wiki/FileED_v2.jpg][/url]  
图1：2014年诺贝尔奖奖项解读图示。图片来自 nobelprize.org 制图：果壳网  


赤崎勇（日语：あかさき いさむ，英语：Akasaki Isamu，1929年1月30日－），日本化学工程学家。

• 曾任松下电器研究员，现任名城大学终身教授、名古屋大学特别教授及名誉教授。
• 美国国家工程院外籍院士。
• 获得紫绶褒章、文化勲章、勋三等旭日中绶章表彰。文化功劳者。
  

[url=]赤崎勇[/url]于2014年凭借“发明高亮度蓝色发光二极管，带来了节能明亮的白色光源”与天野浩、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖[1][2][3]。他也是继罗伯特·密立根之后，史上第2位兼有诺贝尔奖暨IEEE爱迪生奖章荣誉的科学家。
目录 [[url=]隐藏[/url]]

• 1 主要成就 -- 蓝光 LED[1][2][3]
• 2 2014年诺贝尔物理学奖
• 3 主要荣誉获奖
• 4 获得诺贝尔物理学奖原因[1][2][3][11]
• 5 视频
• 6 参考资料
  

主要成就 -- 蓝光 LED[1][2][3]

• 在1960年代末，[url=]赤崎勇[/url]开始工作于氮化镓（GaN）基蓝光LED。一步一步，他改进的GaN晶体质量和器件结构[4]。在松下研究所东京公司（MRIT）那里，他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。
  

1986年，赤崎勇以低温沉积（AlN）氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年，他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化，首次观测到p型材料的剧烈发光，并以GaN的pn构成完成了蓝色发光二极管。同一时期，赤崎的学生也包括日后的中国知名企业家唐骏[5]。

• 1990年，[url=]赤崎勇[/url] 和 天野浩 师徒俩人完成室温下紫外线暴露GaN的诱导放射。
  
  • 基于各阶段突破，1992年，他们发明了人类史上第一个高亮度蓝色发光二极体。
  • 1995年，进一步完成注入量子多重化电流的GaN/GalnN 诱导放射。
  • 自此开始，[url=]赤崎勇[/url]就一直是热门的诺贝尔奖候选人之一[6][7]。
    
    • 在2009年至2014年的名古屋大学官方简介中，赤崎一直与另外4位名大的诺贝尔奖得主（野依、小林、益川、下村）并列。
      

• 如果说[url=]赤崎勇[/url]是因为执著、永不放弃而获得成功的，那么他的学生天野浩则是因为获得幸运女神的厚爱而取得成功的[8]。
  

2014年诺贝尔物理学奖

• [url=]赤崎勇[/url] 与 天野浩、中村修二于2014年10月7日获得诺贝尔物理学奖。
  

• 翌日[url=]赤崎勇[/url]与江崎玲于奈（1973年诺贝尔物理学奖得主）进行电话会谈，他们讨论了彼此发明的社会影响力，也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因[9]。
  

赤崎是首位九州出身的日本人诺贝尔奖得主[10]，亦缔造若干国内纪录，

• 首次师徒 [url=]赤崎勇[/url] 与 天野浩 同时获诺贝尔奖。
  

• [url=]赤崎勇[/url]获奖年龄第二高（85岁，仅次于南部阳一郎的87岁）；最高龄出席颁奖典礼。
  

主要荣誉获奖

• 紫绶褒章（1996）
• C&C奖（1998）
• IEEE Jack A. Morton Award（1998）
• 朝日奖（2000）
• 勋三等旭日中绶章（2002）
• 文化功劳者（2004）
• 京都奖（2009）
• IEEE爱迪生奖章（2011）
• 文化勋章（2011）
• 日本学士院奖・恩赐奖（2014）
• 诺贝尔物理学奖（2014）
• 查尔斯·斯塔克·德雷珀奖（2015）
  

获得诺贝尔物理学奖原因[1][2][3][11]

• 2014年诺贝尔物理学奖得主的贡献是：
  
  • [url=]赤崎勇[/url]：以低温沉积氮化铝缓冲制成高品质GaN。
  • 天野浩：实现[[pn结GaN]。
  • 中村修二：对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献（基于基于InGaN）。