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梁骏吾 | | | 出生 | 1933年9月18日
湖北省武汉市黄陂 | | 国籍 | 中国 | | 职业 | 研究员 |
梁骏吾 (1933.9.18-- )湖北省武汉市人。 半导体材料专家[1]。中国工程院院士[2]。1955年毕业于武汉大学，1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。持“七五”、“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次[3]、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次，以及其它国家部级奖励多次[4]。
1997年当选为中国工程院院士。
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个人简历梁骏吾 （1933.9.18--) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学，1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次，以及其它国家部级奖励多次。 1997年当选为中国工程院院士。
工作履历1960-1969，半导体研究所，副室主任；助研
1970-1978，湖北宜昌半导体厂，助理研究员
1978-，半导体研究所，研究员
2011-受聘哈工大合约教授
1984-，中国电子学会电子材料分会，副主任委员
1991-，中国材料研究学会，理事
1985-，中国电子学会，会士
个人其它信息专业领域
半导体材料
研究成就：
1978-1980，解决VLSI用硅单晶，主持
1983-1988，首创掺氮中子单晶，主持
1985-1995，硅外延材料制备，主持
1990-1994，生长超晶格量子阱材料，主持
获奖：
1964，高纯区溶硅单晶，国家科学技术委员会，科学技术成果奖，二等
1980,16K位MOS动态随机存储器，中国科学院，科学技术成果奖，一等
1988，掺氮中子嬗变硅单晶，中国科学院，科学技术进步奖，一等
1985,LPE GaAlAs/GaAs异质结构缺陷研究，晶体生长杂志，
1990，半导体，化工出版社，
1991，水平式外延系统的计算机模拟，电子学报19,30,
成果
1、减压薄层硅外延片
参考来源
取自“https://pediainside.com/index.php?title=梁骏吾&oldid=1522604”
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- 本页面最后编辑于2020年6月20日 (星期六) 16:02。
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发表于 2023-2-10 09:09:39
