亚历山大·米哈伊洛维奇·普罗霍罗夫

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亚历山大·米哈伊洛维奇·普罗霍罗夫（俄语：АлександрМихайловичПрохоров，1916年7月11日－2002年1月8日），出生于澳大利亚阿瑟顿，是一名苏联物理学家，曾获得过1964年诺贝尔物理学奖。
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• 1 研究历程
• 2 视频
  • 2.1 亚历山大·米哈伊洛维奇·普罗霍罗夫 相关视频
    
• 3 参考文献
  

研究历程普罗霍罗夫1916年7月11日出生于澳大利亚昆士兰州艾瑟顿一个流亡的俄国革命工人家庭里，1923年回到祖国苏联。从小学到大学，他的学习成绩始终名列前茅。1939年以优异成绩毕业于列宁格勒大学物理系，同年进入苏联科学院列别捷夫研究所振动实验室当研究生。1941年—1944年战争期间在作战部队服役，负伤后复员回到列别捷夫研究所，继续从事研究工作。1960年，普罗霍罗夫当选为苏联科学院通讯院士，1966年当选为院士。1968年他被任命为列别捷夫物理研究所副所长。普罗霍罗夫由于研制分子振荡器与他的同事巴索夫一起获得列宁奖金，他还由于在亚毫米波波谱学方面的工作获得苏联国家奖。他被授予社会主义劳动英雄称号，曾四次获列宁勋章。
普罗霍罗夫在他当研究生的1944年—1950年间，就建立了关于电子管振荡器中的频率稳定性理论，首次获得同步加速器中电子的超高额相干辐射，并开始了气体波谱学的研究。就在这些研究中，他萌发了研制分子振荡器的想法。
普罗霍罗夫所依据的原理是物质中电子的受激发射效应。实际上就是爱因斯坦早在1916年就提出的受激辐射概念。设有两个能级，其能量分别为E1及E2，若上能级粒子数密度大于下能级粒子数密度，就形成了波同频率、同方向、同偏振，因而就使入射电磁波得到放大。一个能放大的系统，如果适当加大正反馈，就能形成振荡。这就是量子放大与量子振荡的基本原理。
1958年普罗霍罗夫和汤斯分别发表文章，指出光学中使用的法布里-珀罗标准具可用作从亚毫米波直到可见光波段的谐振腔。与微波谐振腔相比，这是一种开放式的腔。两块具有高反射率的半透镜对面放置，其间隔远大于波长。但入射电磁波从垂直于镜面的方向射入腔中后，在两镜面间来回反射，形成驻波，起着谐振腔的作用。在他们的理论指导下，两年后就发明了激光器[1]。
巴索夫1922年12月14日出生于俄罗斯的乌斯曼，父亲是一位大学教授。巴索夫于1941年在优龙涅什中学毕业。卫国战争中在部队服役。1946年进入莫斯科机械学院，1950年毕业。从1948年起，巴索夫就在苏联科学院列别捷夫物理研究所振动实验室任实验员，大学毕业后继续在该研究所工作，并升任工程师，1956年获得博士学位，1963年，任该所新建立的量子电子学实验室主任，兼莫斯科工程物理学院（原莫斯科机械学院）教授。普罗霍罗夫与巴索夫联名发表的两篇有关微波激射器的开创性论文，第一作者都是巴索夫，第二作者是普罗霍罗夫。可见，巴索夫在这项有历史意义的工作中起了何等的作用。当时巴索夫还未取得博士学位。
巴索夫又一项重要的科学贡献是对半导体激光器的研究。早在第一台激光器问世以前，巴索夫在1959年就提出了半导体激光器的方案。在半导体上加上足够强的脉冲电场，在强电场作用下，大量原子通过碰撞而被电离，导带中的电子数及价带中的空穴数均急剧增多。当电场撤去后，在一定条件下，可以产生粒子数反转状态。1961年，巴索夫又提出p-n结注入式激光器的原理，发表于苏联《实验与理论物理》杂志上。他还导出了产生受激发射的条件。据此，好几个研究组在1962年先后制成了半导体激光器。巴索夫用砷化镓（GaAs）在77K下获得近红外光的受激辐射。这种类型的激光器后来得到不断的完善，改进了结构，降低了阈值电流，提高了效率，压缩了激光线宽，特别是使其能在室温下工作。到了70年代后期，已逐渐形成了在应用上大发展的局面。成为当前应用最广的一种半导体激光器。
巴索夫倡导激光引发热核聚变，在1962年苏联科学院主席团会议上，以及在1963年巴黎国际量子电子学大会上，他都提出了这个建议。他一方面研制大功率的激光器和研究靶技术；另一方面深入了解产生这种效应的物理条件。1968年，实现了用强激光照射氘化锂（LiD）靶，首次发现从靶中产生出了中子[2]。
巴索夫还致力于寻求新的原理与途径以产生大功率激光。从1962年起，他和他的合作者在化学激光器方面进行了深入研究，制成大功率脉冲和连续的氟化氢化学激光器、大功率纳秒脉冲光解离碘激光器、用电离的新型高气压气体激光器和准分子激光器。他们在信息的光学处理方法、激光稳频、激光频标、激光诱发化学反应、金属表面的激光涂层与固化等方面都有重要工作。在非线性光学方面，产生激波的爆发性化学激光器方面，巴索夫都起到了先驱者。